摘要: 为研究磁屏蔽对霍尔推进器磁场位形分布的影响,以轴对称环形霍尔推进器为研究对象,采用FEMM软件对各种磁屏蔽情况下的磁场分布进行仿真;结合流体模型,利用四阶龙格库塔方法对放电通道内各粒子的输运性质进行研究。结果表明:内外磁屏蔽材料高度变化时磁场位形存在最优分布;电子温度在放电通道出口附近达到最大值,约64eV。离子化频率和电子轴向有效散射频率峰值也出现在通道出口附近。
王健,汪友梅,刘忠茂. 霍尔推进器磁屏蔽对磁场的优化效应研究[J]. 推进技术, 2020, 41(3): 715-720.
WANG Jian1,WANG You-mei1,LIU Zhong-mao1. Study on Optimization of Magnetic Field in Magnetic Shielding of Hall Thruster[J]. Journal of Propulsion Technology, 2020, 41(3): 715-720.